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CMG06(TE12L,Q,M)

CMG06(TE12L,Q,M)

참조 용

부품 번호 CMG06(TE12L,Q,M)
PNEDA 부품 번호 CMG06-TE12L-Q-M
설명 DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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재고 있음 4,608
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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CMG06(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CMG06(TE12L,Q,M)
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
CMG06(TE12L, CMG06(TE12L 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 105.93 KB)
PDFCMG06(TE12L 데이터 시트 표지
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  • CMG06(TE12L,Q,M) Distributor

CMG06(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-128
공급자 장치 패키지M-FLAT (2.4x3.8)
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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DO-214AA (SMB)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AD

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제조업체

STMicroelectronics

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

360µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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