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CMPTH10 TR

CMPTH10 TR

참조 용

부품 번호 CMPTH10 TR
PNEDA 부품 번호 CMPTH10-TR
설명 RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 8,820
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CMPTH10 TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CMPTH10 TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
CMPTH10 TR, CMPTH10 TR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 462.47 KB)
PDFCMPTH10 BK 데이터 시트 표지
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CMPTH10 TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)25V
주파수-전환650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23

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NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

3.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8dB

전력-최대

80W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-422A

공급자 장치 패키지

CDFM2

KSC1674CYBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

이득

-

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MS1202

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

35V

주파수-전환

118MHz ~ 136MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.4dB

전력-최대

15W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M135

공급자 장치 패키지

M135

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

4.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

이득

-

전력-최대

130mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

3-SuperMiniMold (M33)

MCH4021-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

8V

주파수-전환

16GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

17.5dB

전력-최대

400mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

작동 온도

150°C (TJ)

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