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CNY174SVM

CNY174SVM

참조 용

부품 번호 CNY174SVM
PNEDA 부품 번호 CNY174SVM
설명 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
제조업체 ON Semiconductor
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CNY174SVM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CNY174SVM
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
CNY174SVM, CNY174SVM 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 402.58 KB)
PDFCNY17F4TM 데이터 시트 표지
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CNY174SVM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
채널 수1
전압-절연4170Vrms
전류 전송 비율 (최소)160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)2µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반)4µs, 3.5µs (Max)
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)70V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.35V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지6-SMD

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제조업체

ON Semiconductor

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채널 수

1

전압-절연

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전류 전송 비율 (최소)

20% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 2µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.18V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

PS2701-1-V-F3-L-A

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

40V

전류-출력 / 채널

80mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.1V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

MOC211VM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7.5µs, 5.7µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3.2µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

150mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

EL357NA(TB)-G

Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

80% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

160% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 4µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SOP (2.54mm)

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

200ns, 300ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.65V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

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