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CNY17F-4S-TA1

CNY17F-4S-TA1

참조 용

부품 번호 CNY17F-4S-TA1
PNEDA 부품 번호 CNY17F-4S-TA1
설명 OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-SMD
제조업체 Lite-On Inc.
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CNY17F-4S-TA1 리소스

브랜드 Lite-On Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CNY17F-4S-TA1
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
CNY17F-4S-TA1, CNY17F-4S-TA1 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 408.92 KB)
PDFCNY17F-4S-TA1 데이터 시트 표지
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CNY17F-4S-TA1 사양

제조업체Lite-On Inc.
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)-
상승 / 하강 시간 (일반)5µs, 5µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)70V
전류-출력 / 채널150mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.45V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지6-SMD

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

ILQ30

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제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

4

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10µs, 35µs

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

125mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-DIP

HCPL-4502#060

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

19% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

50% @ 16mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

200ns, 600ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

PS2561BL1-1-L-A

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.17V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

40mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

TLP626-2(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

2

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

1200% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

10µs, 8µs

상승 / 하강 시간 (일반)

8µs, 8µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

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