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CP219-2N5338-WN

CP219-2N5338-WN

참조 용

부품 번호 CP219-2N5338-WN
PNEDA 부품 번호 CP219-2N5338-WN
설명 HIGH CURRENT TRANSISTOR
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 3,330
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 9 - 3월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CP219-2N5338-WN 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CP219-2N5338-WN
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • CP219-2N5338-WN Distributor

CP219-2N5338-WN 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 2A, 2V
전력-최대-
주파수-전환30MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3.5V @ 3A, 7A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 2A, 4V

전력-최대

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주파수-전환

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작동 온도

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

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Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

210mV @ 100mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

155MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

전력-최대

150mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

전력-최대

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