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CP647-MJ11013-CT

CP647-MJ11013-CT

참조 용

부품 번호 CP647-MJ11013-CT
PNEDA 부품 번호 CP647-MJ11013-CT
설명 TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 5,202
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CP647-MJ11013-CT 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CP647-MJ11013-CT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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CP647-MJ11013-CT 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 30A, 5V
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 2mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

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장착 유형

Through Hole

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 1.5A, 3V

전력-최대

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주파수-전환

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전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.1V @ 500mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 10mA, 5V

전력-최대

70W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

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50µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6 @ 800mA, 5V

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