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CP647-PMD19K100-WN

CP647-PMD19K100-WN

참조 용

부품 번호 CP647-PMD19K100-WN
PNEDA 부품 번호 CP647-PMD19K100-WN
설명 TRANS PNP DARL 30A 100V DIE
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 5,076
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CP647-PMD19K100-WN 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CP647-PMD19K100-WN
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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CP647-PMD19K100-WN 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.8V @ 60mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce800 @ 15A, 3V
전력-최대-
주파수-전환4MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

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45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

290 @ 2mA, 10V

전력-최대

250mW

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전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

250nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

75MHz

작동 온도

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Surface Mount

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 1V

전력-최대

625mW

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