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CPC3703C

CPC3703C

참조 용

부품 번호 CPC3703C
PNEDA 부품 번호 CPC3703C
설명 MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CPC3703C 리소스

브랜드 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CPC3703C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
CPC3703C, CPC3703C 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 364.42 KB)
PDFCPC3703C 데이터 시트 표지
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CPC3703C 사양

제조업체IXYS Integrated Circuits Division
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)360mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)0V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 200mA, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds350pF @ 25V
FET 기능Depletion Mode
전력 손실 (최대)1.6W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-89-3
패키지 / 케이스TO-243AA

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제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

170V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

210A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

285nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

IRF9Z14LPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STD16NF06T4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPP18P06PHXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

860pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

81.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

BSP372L6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

310mOhm @ 1.7A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±14V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

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7427931

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XCF32PVOG48C

XCF32PVOG48C

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MAX3045BESE+

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HCPL-4200-500E

HCPL-4200-500E

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AS5163-HTSM

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IS25CQ032-JBLE

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BYG10D-E3/TR

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