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CPH6337-TL-E

CPH6337-TL-E

참조 용

부품 번호 CPH6337-TL-E
PNEDA 부품 번호 CPH6337-TL-E
설명 MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
제조업체 ON Semiconductor
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CPH6337-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CPH6337-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
CPH6337-TL-E, CPH6337-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 621.9 KB)
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CPH6337-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds405pF @ 6V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.6W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-CPH
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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제조업체

IXYS

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HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

130A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5230pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

390W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263AA

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRL1404L

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.3V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IXFN24N100

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

390mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

267nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

568W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227B

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™, TrenchT2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

545nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

41000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

24-SMPD

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24-PowerSMD, 21 Leads

SPB73N03S2L-08

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Infineon Technologies

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

73A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.1mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 55µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1710pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

107W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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