CPH6904-TL-E
참조 용
| 부품 번호 | CPH6904-TL-E |
| PNEDA 부품 번호 | CPH6904-TL-E |
| 설명 | JFET 2N-CH 0.7W CPH6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,322 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CPH6904-TL-E 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CPH6904-TL-E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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CPH6904-TL-E 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20mA @ 5V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | 50mA |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 600mV @ 100µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6pF @ 5V |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 700mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-74, SOT-457 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-CPH |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 18 Ohms 전력-최대 310mW 작동 온도 135°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1.2V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 250mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23 (TO-236AB) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.5µA @ 1200V 전류 드레인 (Id)-최대 26A 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1550pF @ 19.5V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 100 mOhms 전력-최대 190W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 PG-TO247-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14pF @ 15V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 225mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8.2pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 100mW 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 USM |
