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CPV363M4F

CPV363M4F

참조 용

부품 번호 CPV363M4F
PNEDA 부품 번호 CPV363M4F
설명 IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,130
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CPV363M4F 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CPV363M4F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
CPV363M4F, CPV363M4F 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 253.75 KB)
PDFVS-CPV363M4KPBF 데이터 시트 표지
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  • CPV363M4F Distributor

CPV363M4F 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)16A
전력-최대36W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.63V @ 15V, 16A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.1nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지IMS-2

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

VS-CPV362M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.2A

전력-최대

23W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 3.9A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.53nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

CM1000DU-34NF

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1000A

전력-최대

3900W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 1000A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

220nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT20A60T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전력-최대

62W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

APTGT400DA120D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

580A

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

29nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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