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CPV363M4F

CPV363M4F

참조 용

부품 번호 CPV363M4F
PNEDA 부품 번호 CPV363M4F
설명 IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,130
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CPV363M4F 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CPV363M4F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
CPV363M4F, CPV363M4F 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 253.75 KB)
PDFVS-CPV363M4KPBF 데이터 시트 표지
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  • CPV363M4F Distributor

CPV363M4F 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)16A
전력-최대36W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.63V @ 15V, 16A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.1nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지IMS-2

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

175W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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VS-CPV362M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.2A

전력-최대

23W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 3.9A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.53nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

APTGT75DSK60T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual Buck Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FZ1200R33KL2CNOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2300A

전력-최대

14500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.65V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

145nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGV25H120T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

156W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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