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CPV364M4F

CPV364M4F

참조 용

부품 번호 CPV364M4F
PNEDA 부품 번호 CPV364M4F
설명 IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $1,108.9651
50 ---------- $1,056.9824
100 ---------- $1,004.9996
200 ---------- $953.0169
400 ---------- $909.6980
500 ---------- $866.3790
재고 있음 209
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CPV364M4F 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CPV364M4F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • CPV364M4F Distributor

CPV364M4F 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)27A
전력-최대63W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 27A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2.2nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지IMS-2

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

270A

전력-최대

660W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

88A

전력-최대

290W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

DF600R12IP4DVBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTGT50A120D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

270W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

BSM75GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

103A

전력-최대

520W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1.5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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