CRY62(TE85L,Q,M)
참조 용
| 부품 번호 | CRY62(TE85L,Q,M) |
| PNEDA 부품 번호 | CRY62-TE85L-Q-M |
| 설명 | X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,110 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CRY62(TE85L 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CRY62(TE85L,Q,M) |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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CRY62(TE85L 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 6.2V |
| 공차 | ±9.68% |
| 전력-최대 | 700mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 60 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 3V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 200mA |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOD-123F |
| 공급자 장치 패키지 | S-FLAT (1.6x3.5) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 3.6V 공차 ±5% 전력-최대 1.25W 임피던스 (최대) (Zzt) 9 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 75µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 30V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 80 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 21V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 27V 공차 ±5% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 23 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 20.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 Axial |
