CSD16407Q5C
참조 용
| 부품 번호 | CSD16407Q5C |
| PNEDA 부품 번호 | CSD16407Q5C |
| 설명 | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,136 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD16407Q5C 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD16407Q5C |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CSD16407Q5C 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 31A (Ta), 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | +16V, -12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2660pF @ 12.5V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.1W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVIII-H FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 49nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3000pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 35W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220SIS 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
