CSD16411Q3
참조 용
| 부품 번호 | CSD16411Q3 |
| PNEDA 부품 번호 | CSD16411Q3 |
| 설명 | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 121,398 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD16411Q3 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD16411Q3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CSD16411Q3 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Ta), 56A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | +16V, -12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 570pF @ 12.5V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.7W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSON (3.3x3.3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
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제조업체 IXYS 시리즈 Polar™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 740mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1610pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 7® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 330mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 365nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9480pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 690AW (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 ISOTOP® 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ CE FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 773pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 30.4W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1820pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta), 8.33W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-TSOP 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 |
