CSD17484F4
참조 용
| 부품 번호 | CSD17484F4 |
| PNEDA 부품 번호 | CSD17484F4 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 630,450 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD17484F4 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD17484F4 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CSD17484F4 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | FemtoFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 8V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 121mOhm @ 500mA, 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | 12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 195pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 500mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 3-PICOSTAR |
| 패키지 / 케이스 | 3-XFDFN |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5200pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 136W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.2A (Ta), 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 993pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 790mW (Ta), 23.6W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 19A (Ta), 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
