CSD17585F5T
참조 용
| 부품 번호 | CSD17585F5T |
| PNEDA 부품 번호 | CSD17585F5T |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 45,432 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD17585F5T 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD17585F5T |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CSD17585F5T 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | FemtoFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.9A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 900mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.7V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.1nC @ 10V |
| Vgs (최대) | 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 380pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 500mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 3-PICOSTAR |
| 패키지 / 케이스 | 3-XFDFN |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 86A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2330pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 79W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 75nC @ 10V Vgs (최대) +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3750pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 27.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 |
