CSD19537Q3T
참조 용
| 부품 번호 | CSD19537Q3T |
| PNEDA 부품 번호 | CSD19537Q3T |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 36,498 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 20 - 3월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD19537Q3T 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD19537Q3T |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CSD19537Q3T 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1680pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.8W (Ta), 83W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSON (3.3x3.3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 UniFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ CE FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.5nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 231pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 5W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223 패키지 / 케이스 TO-261-3 |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 360nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-264AA (IXFK) 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA |
