CSD75204W15
참조 용
| 부품 번호 | CSD75204W15 |
| PNEDA 부품 번호 | CSD75204W15 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,010 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD75204W15 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD75204W15 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD75204W15 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 900mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 410pF @ 10V |
| 전력-최대 | 700mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 9-UFBGA, DSBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 9-DSBGA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 340mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 40pF @ 10V 전력-최대 150mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.76nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V 전력-최대 350mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 Trinamic Motion Control GmbH 시리즈 - FET 유형 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A, 4.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 960pF @ 25V 전력-최대 1.38W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9875pF @ 25V 전력-최대 390W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA, 360mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 30pF @ 25V 전력-최대 450mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
