CSD75208W1015T
참조 용
| 부품 번호 | CSD75208W1015T |
| PNEDA 부품 번호 | CSD75208W1015T |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 70,140 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD75208W1015T 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD75208W1015T |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD75208W1015T 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 410pF @ 10V |
| 전력-최대 | 750mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UFBGA, DSBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 6-DSBGA |
관심을 가질만한 제품
|
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 752pF @ 15V 전력-최대 3.57W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 46.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2060pF @ 10V 전력-최대 900mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 290A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 145A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1440nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 40000pF @ 25V 전력-최대 1500W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Y3-DCB 공급자 장치 패키지 Y3-DCB |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 720pF @ 15V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
