CSD87350Q5D
참조 용
| 부품 번호 | CSD87350Q5D |
| PNEDA 부품 번호 | CSD87350Q5D |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,172 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 23 - 4월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD87350Q5D 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD87350Q5D |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD87350Q5D 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 20A, 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1770pF @ 15V |
| 전력-최대 | 12W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-LSON (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 220pF @ 10V 전력-최대 1.65W 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 TLM832DS |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 25V 전력-최대 1.1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 TSMT8 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 540mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 16V 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.7A, 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 400pF @ 15V 전력-최대 960mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
