CSD87355Q5D
참조 용
| 부품 번호 | CSD87355Q5D |
| PNEDA 부품 번호 | CSD87355Q5D |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 8LSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,640 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD87355Q5D 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD87355Q5D |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD87355Q5D 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1860pF @ 15V |
| 전력-최대 | 12W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-LSON (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id 810mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 220pF @ 15V 전력-최대 3.12W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 1206-8 ChipFET™ |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.4W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지 4-EFCP (1.01x1.01) |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.5A, 17A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1110pF @ 15V 전력-최대 1.9W, 2.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
