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CUS15I30A(TE85L,QM

CUS15I30A(TE85L,QM

참조 용

부품 번호 CUS15I30A(TE85L,QM
PNEDA 부품 번호 CUS15I30A-TE85L-QM
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US-FLAT
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 7,326
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CUS15I30A(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CUS15I30A(TE85L,QM
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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CUS15I30A(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If460mV @ 1.5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr60µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F50pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지US-FLAT (1.25x2.5)
작동 온도-접합150°C (Max)

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Diodes Incorporated

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

875mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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SMB

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

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