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CY14B104L-ZS45XI

CY14B104L-ZS45XI

참조 용

부품 번호 CY14B104L-ZS45XI
PNEDA 부품 번호 CY14B104L-ZS45XI
설명 IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,298
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY14B104L-ZS45XI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY14B104L-ZS45XI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY14B104L-ZS45XI, CY14B104L-ZS45XI 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 791.82 KB)
PDFCY14B104N-ZS45XIT 데이터 시트 표지
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CY14B104L-ZS45XI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지45ns
접근 시간45ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

M29W160ET70ZS6F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (11x13)

CY7C1563V18-375BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

375MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

IS61LF51236A-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

M50FW040K5TG TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.35x13.89)

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