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CY14B104LA-ZS25XI

CY14B104LA-ZS25XI

참조 용

부품 번호 CY14B104LA-ZS25XI
PNEDA 부품 번호 CY14B104LA-ZS25XI
설명 IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY14B104LA-ZS25XI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY14B104LA-ZS25XI
분류반도체메모리 IC기억

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  • CY14B104LA-ZS25XI Distributor

CY14B104LA-ZS25XI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지20ns
접근 시간20ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

93C46BT-E/MNY

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x3)

MT41K256M16TW-107 AIT:P

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

16Gb (512M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S29GL01GS11WEI019

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

110ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Wafer

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