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CY15B104QN-20LPXC

CY15B104QN-20LPXC

참조 용

부품 번호 CY15B104QN-20LPXC
PNEDA 부품 번호 CY15B104QN-20LPXC
설명 IC FRAM 4MBIT 20MHZ 8GQFN
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY15B104QN-20LPXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY15B104QN-20LPXC
분류반도체메모리 IC기억

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  • CY15B104QN-20LPXC Distributor

CY15B104QN-20LPXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈*
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

150ns

전압-공급

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시리즈

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Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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