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CY7C019V-20AXC

CY7C019V-20AXC

참조 용

부품 번호 CY7C019V-20AXC
PNEDA 부품 번호 CY7C019V-20AXC
설명 IC SRAM 1.152M PARALLEL 100TQFP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,744
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C019V-20AXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C019V-20AXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C019V-20AXC, CY7C019V-20AXC 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 520.38 KB)
PDFCY7C019V-25AXC 데이터 시트 표지
CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 2 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 3 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 4 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 5 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 6 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 7 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 8 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 9 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 10 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C019V-20AXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기1.152Mb (128K x 9)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지20ns
접근 시간20ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스100-LQFP
공급자 장치 패키지100-TQFP (14x14)

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

169-VFBGA

공급자 장치 패키지

169-VFBGA

AT49F002T-70JI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

EDFP264A2PB-JD-F-D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

24Gb (384M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S29GL032N90TAI010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-N

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

AT25256-10PI-1.8

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2.1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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