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CY7C019V-20AXC

CY7C019V-20AXC

참조 용

부품 번호 CY7C019V-20AXC
PNEDA 부품 번호 CY7C019V-20AXC
설명 IC SRAM 1.152M PARALLEL 100TQFP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,744
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 9 - 11월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C019V-20AXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C019V-20AXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C019V-20AXC, CY7C019V-20AXC 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 520.38 KB)
PDFCY7C019V-25AXC 데이터 시트 표지
CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 2 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 3 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 4 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 5 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 6 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 7 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 8 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 9 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 10 CY7C019V-25AXC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C019V-20AXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기1.152Mb (128K x 9)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지20ns
접근 시간20ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스100-LQFP
공급자 장치 패키지100-TQFP (14x14)

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

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장착 유형

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Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

86-TSOP II

71321SA55PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (14x14)

AT24C04A-10PC-2.5

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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