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CY7C057V-12BBC

CY7C057V-12BBC

참조 용

부품 번호 CY7C057V-12BBC
PNEDA 부품 번호 CY7C057V-12BBC
설명 IC SRAM 1.152M PARALLEL 172FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C057V-12BBC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C057V-12BBC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C057V-12BBC, CY7C057V-12BBC 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 459.9 KB)
PDFCY7C057V-15BBC 데이터 시트 표지
CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 2 CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 3 CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 4 CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 5 CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 6 CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 7 CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 8 CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 9 CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 10 CY7C057V-15BBC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C057V-12BBC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기1.152Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스172-LFBGA
공급자 장치 패키지172-FBGA (15x15)

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

8Gb (2G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.2GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9x13.2)

MTFC128GAOANAM-WT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

71V432S6PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

1Mb (32K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6ns

전압-공급

3.135V ~ 3.63V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP

DS1225Y-200IND+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

200ns

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-EDIP

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