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CY7C09579V-83AXC

CY7C09579V-83AXC

참조 용

부품 번호 CY7C09579V-83AXC
PNEDA 부품 번호 CY7C09579V-83AXC
설명 IC SRAM 1.152M PARALLEL 144TQFP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,820
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C09579V-83AXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C09579V-83AXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C09579V-83AXC, CY7C09579V-83AXC 데이터 시트 (총 페이지: 33, 크기: 875.98 KB)
PDFCY7C09579V-83AC 데이터 시트 표지
CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 2 CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 3 CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 4 CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 5 CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 6 CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 7 CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 8 CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 9 CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 10 CY7C09579V-83AC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C09579V-83AXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기1.152Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간6ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스144-LQFP
공급자 장치 패키지144-TQFP (20x20)

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

512Kb (32K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

CYD18S72V18-167BGI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

18Mb (256K x 72)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4ns

전압-공급

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

484-FBGA (23x23)

CY7C1392SV18-250BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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