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CY7C1020B-12VXCT

CY7C1020B-12VXCT

참조 용

부품 번호 CY7C1020B-12VXCT
PNEDA 부품 번호 CY7C1020B-12VXCT
설명 IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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CY7C1020B-12VXCT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1020B-12VXCT
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1020B-12VXCT, CY7C1020B-12VXCT 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 507.91 KB)
PDFCY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 표지
CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 9

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CY7C1020B-12VXCT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기512Kb (32K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-SOJ

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-LFBGA

공급자 장치 패키지

96-LFBGA (10x14)

AT25256AW-10SU-1.8

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

71V124SA12TYG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOJ

25LC128-I/P

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MT49H32M18FM-25E:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

15ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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