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CY7C1021CV33-10VXC

CY7C1021CV33-10VXC

참조 용

부품 번호 CY7C1021CV33-10VXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1021CV33-10VXC
설명 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 4 - 3월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1021CV33-10VXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1021CV33-10VXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1021CV33-10VXC, CY7C1021CV33-10VXC 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 554.97 KB)
PDFCY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 표지
CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 9 CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 10 CY7C1021CV33-12BAXIT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1021CV33-10VXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ns
접근 시간10ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-SOJ

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

120ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

AT34C02CY6-YH-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-Mini Map (2x3)

W979H2KBVX2E

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

512Mb (16M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

134-VFBGA

공급자 장치 패키지

134-VFBGA (10x11.5)

IS42S83200J-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

CY7C1041GE30-10VXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

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