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CY7C1041BNV33L-15ZXCT

CY7C1041BNV33L-15ZXCT

참조 용

부품 번호 CY7C1041BNV33L-15ZXCT
PNEDA 부품 번호 CY7C1041BNV33L-15ZXCT
설명 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1041BNV33L-15ZXCT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1041BNV33L-15ZXCT
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1041BNV33L-15ZXCT, CY7C1041BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 404.64 KB)
PDFCY7C1041BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 표지
CY7C1041BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1041BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1041BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1041BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1041BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1041BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1041BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 8

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CY7C1041BNV33L-15ZXCT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간15ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

PZ28F064M29EWTX

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

60ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-BGA (6x8)

NM4081H0HA15J68E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT28HL32GQBB3ERK-0GCT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

RC28F640P30B85B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (10x13)

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