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CY7C1399BN-15VXAT

CY7C1399BN-15VXAT

참조 용

부품 번호 CY7C1399BN-15VXAT
PNEDA 부품 번호 CY7C1399BN-15VXAT
설명 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,878
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 10 - 11월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1399BN-15VXAT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1399BN-15VXAT
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1399BN-15VXAT, CY7C1399BN-15VXAT 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 191.3 KB)
PDFCY7C1399BN-15VXAT 데이터 시트 표지
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CY7C1399BN-15VXAT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간15ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOJ

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

F640BFHEPTTLHFA

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제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - Boot Block

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

IS29GL01GS-11TFV020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

110ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

AS7C4098A-20JCNTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

R1LV5256ESA-7SR#B0

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

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