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CY7C1414AV18-200BZI

CY7C1414AV18-200BZI

참조 용

부품 번호 CY7C1414AV18-200BZI
PNEDA 부품 번호 CY7C1414AV18-200BZI
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1414AV18-200BZI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1414AV18-200BZI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1414AV18-200BZI, CY7C1414AV18-200BZI 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 481.08 KB)
PDFCY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 표지
CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 2 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 3 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 4 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 5 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 6 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 7 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 8 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 9 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 10 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1414AV18-200BZI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

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제조업체

Everspin Technologies Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-LFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8x8)

S29JL064J55BHI000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

JL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8.15x6.15)

IS45S32400B-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

M95256-RDW6TP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

47C16-I/WF16K

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EERAM

기술

EEPROM, SRAM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

400ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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