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CY7C1423JV18-267BZXC

CY7C1423JV18-267BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1423JV18-267BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1423JV18-267BZXC
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가
1 ---------- $657.8634
50 ---------- $627.0261
100 ---------- $596.1887
200 ---------- $565.3514
400 ---------- $539.6536
500 ---------- $513.9558
재고 있음 58
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1423JV18-267BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1423JV18-267BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1423JV18-267BZXC, CY7C1423JV18-267BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 27, 크기: 838.02 KB)
PDFCY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 표지
CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 10 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1423JV18-267BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

관심을 가질만한 제품

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, MS-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (11x9)

70V658S10DR

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

2Mb (64K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-BFQFP

공급자 장치 패키지

208-PQFP (28x28)

SST39WF1601-90-4C-MBQE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

40µs

접근 시간

90ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-WFBGA

공급자 장치 패키지

48-WFBGA (6x4)

25AA160AT-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S25FL064LABMFM013

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, FL-L

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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