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CY7C14251KV18-250BZI

CY7C14251KV18-250BZI

참조 용

부품 번호 CY7C14251KV18-250BZI
PNEDA 부품 번호 CY7C14251KV18-250BZI
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,004
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C14251KV18-250BZI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C14251KV18-250BZI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C14251KV18-250BZI, CY7C14251KV18-250BZI 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 913.26 KB)
PDFCY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 표지
CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 2 CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 3 CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 4 CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 5 CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 6 CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 7 CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 8 CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 9 CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 10 CY7C14141KV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C14251KV18-250BZI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기36Mb (4M x 9)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

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Rohm Semiconductor

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

CY7C1512SV18-250BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

EDFA164A2PP-GD-F-D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

16Gb (256M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

220-FBGA (14x14)

7164L35DB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-CerDip

C08-0586-0001-0

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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