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CY7C1440AV25-250BZXIT

CY7C1440AV25-250BZXIT

참조 용

부품 번호 CY7C1440AV25-250BZXIT
PNEDA 부품 번호 CY7C1440AV25-250BZXIT
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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CY7C1440AV25-250BZXIT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1440AV25-250BZXIT
분류반도체메모리 IC기억

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CY7C1440AV25-250BZXIT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간2.6ns
전압-공급2.375V ~ 2.625V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

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Micron Technology Inc.

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메모리 포맷

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기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

6.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-VFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (8x13)

MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

512Gb (64G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

267MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

132-VBGA

공급자 장치 패키지

132-VBGA (12x18)

IS61C25616AL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

CY7C1512V18-200BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

IS25LP256D-RHLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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