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CY7C146-55JXC

CY7C146-55JXC

참조 용

부품 번호 CY7C146-55JXC
PNEDA 부품 번호 CY7C146-55JXC
설명 IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,154
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 10 - 11월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C146-55JXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C146-55JXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C146-55JXC, CY7C146-55JXC 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 358.32 KB)
PDFCY7C136A-55NXIT 데이터 시트 표지
CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 2 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 3 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 4 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 5 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 6 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 7 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 8 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 9 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 10 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C146-55JXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스52-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지52-PLCC (19.13x19.13)

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

2133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

432-VFBGA

공급자 장치 패키지

432-VFBGA (15x15)

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제조업체

Everspin Technologies Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP, Large Flag (5x6)

34VL02/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.5V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

S29GL128P11FAIV10

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

110ns

접근 시간

110ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

JS28F128M29EWLA

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

56-TSOP

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