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CY7C1512V18-167BZXI

CY7C1512V18-167BZXI

참조 용

부품 번호 CY7C1512V18-167BZXI
PNEDA 부품 번호 CY7C1512V18-167BZXI
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가
1 ---------- $1,363.1142
50 ---------- $1,299.2183
100 ---------- $1,235.3223
200 ---------- $1,171.4263
400 ---------- $1,118.1797
500 ---------- $1,064.9330
재고 있음 5
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CY7C1512V18-167BZXI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1512V18-167BZXI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1512V18-167BZXI, CY7C1512V18-167BZXI 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 669.72 KB)
PDFCY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 표지
CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 2 CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 3 CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 4 CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 5 CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 6 CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 7 CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 8 CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 9 CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 10 CY7C1514V18-200BZXC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1512V18-167BZXI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS45S32400F-6TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

86-TSOP II

IDT71T016SA20PHG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

70V9289L12PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

128-LQFP

공급자 장치 패키지

128-TQFP (14x20)

7025L25FB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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