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CY7C1515JV18-300BZXC

CY7C1515JV18-300BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1515JV18-300BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1515JV18-300BZXC
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가
1 ---------- $783.6157
50 ---------- $746.8838
100 ---------- $710.1518
200 ---------- $673.4198
400 ---------- $642.8098
500 ---------- $612.1998
재고 있음 537
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1515JV18-300BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1515JV18-300BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1515JV18-300BZXC, CY7C1515JV18-300BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 1,112.19 KB)
PDFCY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 표지
CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 2 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 3 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 4 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 5 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 6 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 7 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 8 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 9 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 10 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1515JV18-300BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

40-TSOP I

IDT71V3556S100BQI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

23K256-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

제조업체

ABLIC U.S.A. Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (512 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

W25Q80DLSVIG

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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