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CY7C1518V18-167BZC

CY7C1518V18-167BZC

참조 용

부품 번호 CY7C1518V18-167BZC
PNEDA 부품 번호 CY7C1518V18-167BZC
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1518V18-167BZC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1518V18-167BZC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1518V18-167BZC, CY7C1518V18-167BZC 데이터 시트 (총 페이지: 31, 크기: 713.28 KB)
PDFCY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 표지
CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 10 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1518V18-167BZC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

CY7C1613KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

144Mb (8M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

S70GL02GS12FHBV20

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

120ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

AS7C316096B-10TIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP2

MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

16Gb (256M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

253-VFBGA

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253-VFBGA (11x11.5)

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