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CY7C1518V18-167BZC

CY7C1518V18-167BZC

참조 용

부품 번호 CY7C1518V18-167BZC
PNEDA 부품 번호 CY7C1518V18-167BZC
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1518V18-167BZC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1518V18-167BZC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1518V18-167BZC, CY7C1518V18-167BZC 데이터 시트 (총 페이지: 31, 크기: 713.28 KB)
PDFCY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 표지
CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 10 CY7C1520V18-200BZCT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1518V18-167BZC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60µs, 750µs

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (8x6)

PC28F128P33B85D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (8x10)

MT48LC4M16A2P-6A AAT:J TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

AS4C4M16SA-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ns

접근 시간

4.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

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