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CY7C25652KV18-550BZXC

CY7C25652KV18-550BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C25652KV18-550BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C25652KV18-550BZXC
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,936
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예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C25652KV18-550BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C25652KV18-550BZXC
분류반도체메모리 IC기억

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CY7C25652KV18-550BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수550MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

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Alliance Memory, Inc.

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메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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메모리 유형

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메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.2GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

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Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA

M95512-RMC6TG

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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AT29C256-15PI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

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