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CYD09S72V18-167BBXI

CYD09S72V18-167BBXI

참조 용

부품 번호 CYD09S72V18-167BBXI
PNEDA 부품 번호 CYD09S72V18-167BBXI
설명 IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,590
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 23 - 1월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CYD09S72V18-167BBXI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CYD09S72V18-167BBXI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CYD09S72V18-167BBXI, CYD09S72V18-167BBXI 데이터 시트 (총 페이지: 52, 크기: 1,380.77 KB)
PDFCYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 표지
CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 2 CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 3 CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 4 CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 5 CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 6 CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 7 CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 8 CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 9 CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 10 CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 페이지 11

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CYD09S72V18-167BBXI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기9Mb (128K x 72)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간4ns
전압-공급1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스256-LBGA
공급자 장치 패키지256-FBGA (17x17)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

30µs

접근 시간

150ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-SOIC (0.525", 13.34mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOIC

AT25XE021A-SSHN-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

70MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

71321SA55TFI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (10x10)

SST25VF040B-80-4I-SAE-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST25

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

PC28F256J3F95A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

95ns

접근 시간

95ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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