CYD18S36V18-200BBAXI
참조 용
| 부품 번호 | CYD18S36V18-200BBAXI |
| PNEDA 부품 번호 | CYD18S36V18-200BBAXI |
| 설명 | IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA |
| 제조업체 | Cypress Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,070 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CYD18S36V18-200BBAXI 리소스
| 브랜드 | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CYD18S36V18-200BBAXI |
| 분류 | 반도체 › 메모리 IC › 기억 |
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CYD18S36V18-200BBAXI 사양
| 제조업체 | Cypress Semiconductor Corp |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | SRAM |
| 기술 | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 메모리 크기 | 18Mb (512K x 36) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 200MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | 3.3ns |
| 전압-공급 | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 256-LBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 256-FBGA (17x17) |
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