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CYD18S72V18-167BGXC

CYD18S72V18-167BGXC

참조 용

부품 번호 CYD18S72V18-167BGXC
PNEDA 부품 번호 CYD18S72V18-167BGXC
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,766
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 23 - 1월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CYD18S72V18-167BGXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CYD18S72V18-167BGXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CYD18S72V18-167BGXC, CYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 (총 페이지: 52, 크기: 1,380.77 KB)
PDFCYD18S72V18-167BGXC 데이터 시트 표지
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CYD18S72V18-167BGXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기18Mb (256K x 72)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간4ns
전압-공급1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스484-FBGA
공급자 장치 패키지484-FBGA (23x23)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

130-VFBGA

공급자 장치 패키지

130-VFBGA (8x9)

W29GL512SH9T TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

MR0D08BMA45R

Everspin Technologies Inc.

제조업체

Everspin Technologies Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-LFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8x8)

71V3556S133PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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