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CZRT5256B-G

CZRT5256B-G

참조 용

부품 번호 CZRT5256B-G
PNEDA 부품 번호 CZRT5256B-G
설명 DIODE ZENER 30V 300MW SOT23
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 3,006
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CZRT5256B-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CZRT5256B-G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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CZRT5256B-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)30V
공차±5%
전력-최대300mW
임피던스 (최대) (Zzt)49 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 23V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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제조업체

Microsemi Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

29 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

CDLL5297

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±5%

전력-최대

375mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

700nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123F

JAN1N4469D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±1%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

3EZ9.1DE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±20%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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