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D4201N22TXPSA1

D4201N22TXPSA1

참조 용

부품 번호 D4201N22TXPSA1
PNEDA 부품 번호 D4201N22TXPSA1
설명 DIODE GEN PURP 2.2KV 6010A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,698
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

D4201N22TXPSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호D4201N22TXPSA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
D4201N22TXPSA1, D4201N22TXPSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 245.71 KB)
PDFD4201N22TXPSA1 데이터 시트 표지
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D4201N22TXPSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)2200V
전류-평균 정류 (Io)6010A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 4000A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr200mA @ 2200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스DO-200AE
공급자 장치 패키지-
작동 온도-접합-40°C ~ 160°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

MELF

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

DSA1-16D

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제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

2.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.34V @ 7A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

700µA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Radial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

1N1183A

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 40A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 200°C

EGL34G-E3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

7pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA (GL34)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

JANTXV1N5804US

Microsemi

제조업체

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

875mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

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-65°C ~ 175°C

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