D650S14TQRXPSA1
참조 용
| 부품 번호 | D650S14TQRXPSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | D650S14TQRXPSA1 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1.4KV 620A |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,172 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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D650S14TQRXPSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | D650S14TQRXPSA1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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D650S14TQRXPSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1400V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 620A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 2.25V @ 1400A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 5.3µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 20mA @ 1400V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-200AB, B-PUK |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 150°C |
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제조업체 WeEn Semiconductors 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 9A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.9V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지 TO-220FP 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.75V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 1100V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지 A-MELF 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
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