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D850N34TXPSA1

D850N34TXPSA1

참조 용

부품 번호 D850N34TXPSA1
PNEDA 부품 번호 D850N34TXPSA1
설명 DIODE GEN PURP 3.4KV 850A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,568
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

D850N34TXPSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호D850N34TXPSA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
D850N34TXPSA1, D850N34TXPSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 230.91 KB)
PDFD850N34TXPSA1 데이터 시트 표지
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  • D850N34TXPSA1 Distributor

D850N34TXPSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)3400V
전류-평균 정류 (Io)850A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.28V @ 850A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50mA @ 3400V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스DO-200AB, B-PUK
공급자 장치 패키지-
작동 온도-접합-40°C ~ 160°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.5V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MURS140HE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

JAN1N5554US

Microsemi

제조업체

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 9A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

D-5B

작동 온도-접합

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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