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DB156G

DB156G

참조 용

부품 번호 DB156G
PNEDA 부품 번호 DB156G
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DB
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,886
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DB156G 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DB156G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
DB156G, DB156G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 598.74 KB)
PDFDB157G 데이터 시트 표지
DB157G 데이터 시트 페이지 2 DB157G 데이터 시트 페이지 3

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DB156G 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1.5A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 800V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-EDIP (0.321", 8.15mm)
공급자 장치 패키지DB

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기술

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전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 600V

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBP

공급자 장치 패키지

KBP

GBL08-5000M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBL

공급자 장치 패키지

GBL

TBSL30J-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

TBSL

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Microsemi

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시리즈

*

다이오드 유형

-

기술

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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